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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

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国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种准单晶硅片绒面的制备方法-CN201210117815.9有效
发明人：郭进;刘文峰;杨晓生 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2012-04-21 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种准单晶硅片绒面的制备方法，属于半导体晶体硅及太阳能电池制造技术领域，本发明将准单晶硅片置于呈碱性的准单晶制绒液中进行反应制得准单晶硅片绒面，并根据准单晶硅片中（100）晶粒所占的面积来调整腐蚀的深度本发明简化了准单晶制绒工艺，降低了准单晶电池片生产成本，有效地降低了准单晶硅片绒面的反射率，提高了准单晶电池片的光电转换效率。
一种单晶硅片绒面制备方法

[发明专利]一种准单晶硅的清洗方法-CN201210427876.5有效
发明人：李静;王昌贤;王雪芹 -专利权人：浙江昱辉阳光能源有限公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： B08B3/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种准单晶硅的清洗方法，其特征在于，包括：a）将待清洗的准单晶硅进行手动超声酸洗和预冲洗；b）将步骤a）预冲洗后的准单晶硅进行超声酸洗；c）将步骤b）超声预酸洗后的准单晶硅在水中进行手动脱胶；d）将手动脱胶后的准单晶硅硅进行超声清洗。本发明提供的准单晶硅的清洗方法，使清除表面有机物，且不影响制绒效果。
一种单晶硅清洗方法

[发明专利]一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法-CN201310130245.1有效
发明人：张忠安;张忠华;凌继贝;高岩 -专利权人：江西豪安能源科技有限公司
申请日： 2013-04-16 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造准单晶籽晶用9英寸直拉单晶硅的生长方法，该方法包括如下步骤：拆炉，清炉；装炉、装料；抽空、检验；加温、化料；引晶、放肩；转肩、等径；收尾；停炉。与目前使用的8英寸单晶切割而成的准方籽晶相比，用9英寸单晶加工的准单晶籽晶为方形，有利于提高铸锭的单晶比例从而提高准单晶的转化效率。
一种用于制造准单晶籽晶英寸单晶硅生长方法

[发明专利]一种制备准单晶硅的铸锭炉及制备准单晶硅的方法-CN201210583938.1无效
发明人：吕铁铮;李万辉 -专利权人：江苏有能光电科技有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备准单晶硅的铸锭炉。本发明还提供了一种准单晶硅的制备方法，它是在准单晶铸锭炉中完成准单晶硅的生长，采用热交换装置，利用气体换热，控制温度、调节固液界面，生长准单晶。本发明通过使用特殊的热交换装置，用气体换热的方式替代传统的隔热笼换热方式，能精确控制籽晶温度，解决了固液界面不平坦的问题，提高准单晶比例以及提升硅料利用率。
一种制备单晶硅铸锭方法

[发明专利]一种单晶电池及单晶硅片的制作方法-CN201911268035.2有效
发明人：白枭龙;汪沛渊;何丽珠;杨俊;刘礼猛;张涛;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种单晶电池及单晶硅片的制作方法，该单晶硅片的制作方法包括提供一单晶圆棒；对所述单晶圆棒进行开方，得到截面为具有圆弧的准方形的准方棒，所述圆弧的长度至少为15mm；对所述准方棒进行切片，得到具有圆弧的准方形的硅片该单晶电池的制作方法包括利用上面所述的方法制作出具有圆弧的准方形的硅片；将所述硅片制作成电池片；切割所述电池片，得到一个方形单晶电池片和至少一个条状单晶电池片。上述单晶电池及单晶硅片的制作方法，能够提高单晶圆棒的利用率，降低单晶硅片的生产成本。
一种电池单晶硅制作方法

[发明专利]一种准单晶硅锭的切割方法及硅片制造方法-CN201210320601.1有效
发明人：王楠;黎志欣;王军;郭大伟 -专利权人：北京京运通科技股份有限公司
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： B28D1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种准单晶硅锭的切割方法及硅片制造方法，以解决现有技术中切割准单晶硅锭时，不能将准单晶硅锭中生长单晶边缘部分切割为完整的一类硅块，获取的一类硅片数量较少的问题。本发明中，在正面外形尺寸为第一尺寸的准单晶硅锭上，确定一能将所述准单晶硅锭中生长单晶部分全部包围的正方形边长尺寸，作为第二尺寸；采用与第二尺寸匹配度最大的开方方式，将所述准单晶硅锭切割为正面外形尺寸为固定大小的硅块通过本发明能够获得更多数量的具有产业化价值的一类硅片，提高准单晶硅锭一类品得率。
一种单晶硅切割方法硅片制造

[发明专利]一种准单晶电池的制备方法-CN201710891347.3有效
发明人：王海涛;包健;廖晖;李林东;陈伟;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种准单晶电池的制备方法，包括如下步骤：将准单晶硅片在第一预设温度的第一混合液中浸泡第一预设时间，其中第一混合液包括氢氟酸与双氧水；向第一混合液中加入第二混合液以得到中性混合液，并将准单晶硅片在中性混合液中清洗第二预设时间，其中第二混合液包括氢氧化钾以及氢氧化铵；将预清洗后的准单晶硅片在第二预设温度的第三混合液中酸洗第三预设时间；将经酸洗后的准单晶硅片依次进行化学反应刻蚀以及物理离子轰击处理；将干法黑硅处理后的准单晶硅片依次进行硼扩散、磷扩散、镀膜以及印刷电极处理后得到准单晶电池。本发明制备得到的准单晶电池，绒面陷光效果较好，电池转换效率较高，提高了电池质量。
一种准单晶电池制备方法

[发明专利]一种准单晶硅锭生长方法-CN201410214862.4有效
发明人：高文秀;李帅;赵百通 -专利权人：江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种准单晶硅锭生长方法，包括如下步骤：a)在石英坩埚内将多晶硅料加热熔化形成硅熔液；b)对籽晶预热后，将籽晶由上向下移动浸入硅熔液内；c)控制籽晶的旋转速度并缓慢提升籽晶，从籽晶和硅熔液的接触面向下及四周生长形成准单晶锭；d）当准单晶锭的生长比重达到预设阈值时，结束晶体生长，降温至退火温度，冷却出炉。本发明提供的准单晶硅锭生长方法，将籽晶由上向下浸入硅熔液内，通过控制籽晶的旋转和向上提升，使得准单晶锭在生长时与石英坩埚壁之间存在液态硅，有效避免准单晶硅锭与坩埚壁直接接触，从而具有单晶率高，位错率低的优点
一种单晶硅生长方法

[发明专利]一种REBCO准单晶生长工艺中控制液体流失的方法-CN201510246415.1在审
发明人：樊文硕;李昊辰;姚忻;相辉;崔祥祥;郭林山;汪浩 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供一种REBCO准单晶生长工艺中控制液体流失的方法，该方法采用镶嵌式籽晶的前驱体熔融织构制备REBCO准单晶，在制备工艺过程中，采用Fe₂O₃粉末作为铁掺杂与CeO₂联合掺杂的REBCO准单晶的前驱粉体的组分，制备镶嵌式籽晶的前驱体，将镶嵌式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构生长工艺，获得REBCO准单晶；观察所述REBCO准单晶下方垫片的液体流失情况本发明易于操作、完全重复可控，与传统的以RE123+1wt%CeO₂的比例的制备方式相比，本发明可以有效控制液体流失，减少因液体流失对REBCO准单晶的生长速度及晶体完整性的影响，
一种 rebco 准单晶生长工艺控制液体流失方法

[发明专利]一种籽晶铺设方法、铸造准单晶硅锭的方法及准单晶硅片-CN201210071792.2有效
发明人：路景刚 -专利权人：镇江荣德新能源科技有限公司
申请日： 2012-03-19 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于铸造准单晶硅锭的籽晶铺设方法，所述籽晶铺设在坩埚底部，所述籽晶为两块或两块以上；当所述籽晶为两块时，两块所述籽晶的晶向成预定夹角设置；当所述籽晶为两块以上时，至少一对相邻的所述籽晶的晶向成预定夹角设置；本发明还公开了一种铸造准单晶硅锭的方法、一种采用上述方法制得的准单晶硅锭切割成的准单晶硅片、以及一种太阳电池。本发明的用于铸造准单晶硅锭的籽晶铺设方法中，至少两个相邻的籽晶的晶向之间成夹角设置，这种铺设方法很好的抑制了铸造准单晶硅锭的籽晶间的接缝处位错的生成和繁殖。
一种籽晶铺设方法铸造单晶硅

[发明专利]一种使用氧化铝薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚-CN201810688397.6在审
发明人：余学功;胡泽晨;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用氧化铝薄膜作为阻挡层的准单晶硅铸锭用坩埚，所述坩埚的底座内表面设有氮化硅涂层和阻挡层，所述阻挡层为表面沉积有Al₂O₃薄膜的太阳能级单晶硅片通过本发明提供的准单晶硅铸锭用坩埚铸造的准单晶硅铸锭底部红区宽度可限制到约5mm左右，铸锭的少子寿命大于2μs；有效提高了准单晶硅锭的利用率。将本发明提供的准单晶锭切割成硅片，硅片中的杂质浓度较低，硅片的少子寿命较高，制成电池后的效率较高，其平均转换效率为18％～18.5％。
准单晶硅铸锭阻挡层坩埚硅片氧化铝薄膜少子寿命太阳能级单晶硅片氮化硅涂层底座内表面表面沉积转换效率准单晶薄膜切割电池铸造

[发明专利]准单晶硅片的外观检测方法-CN201110401575.0无效
发明人：钱峰;魏青竹;孙利国;任军林;陆俊宇;汪燕玲 -专利权人：江苏腾晖电力科技有限公司
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明涉及一种准单晶硅片的外观检测方法，其包括以下步骤：首先，将准单晶硅片表面积划分成n×n阵列的网格，令每个网格面积占整个准单晶硅片面积的1/(n×n)。随后，透过二维网格量尺的透明基底观察硅片表面，找出硅片上单晶晶粒、多晶晶粒的位置分布，并统计。最后，将单晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n)，即为单晶晶粒占整个硅片面积的比例，将多晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n)，即为多晶晶粒占整个准单晶硅片面积的比例。由此，可以快速评价准单晶硅片质量。
单晶硅外观检测方法

[发明专利]一种单晶衍射仪-CN201810510106.4在审
发明人：李玉德;林晓燕;黄瑞康 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶衍射仪，其特征在于，该单晶衍射仪包括X射线光源、准直单毛细管、平面晶体和聚焦单毛细管；所述X射线光源用于发射带有轫致辐射和特征辐射的多波长X光；所述准直单毛细管用于将多波长X光准直为准平行X光；所述平面晶体用于对符合布拉格衍射条件的准平行X光进行单色化，得到单色准平行X光；所述聚焦单毛细管用于将单色准平行X光聚焦到样品并完成单晶结构的测定。本发明可以广泛应用于分子单晶结构的测定中。
单毛细管单晶衍射仪准平行准直单晶结构平面晶体聚焦多波长布拉格衍射特征辐射单色化轫致平行发射辐射应用

[发明专利]准单晶薄膜及其制造方法-CN201910789903.5有效
发明人：陈智;李昱瑾 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C30B1/00 文献下载
摘要：一种准单晶薄膜及其制备方法，是将表面具有111优选方向的金属薄膜基于机械拉伸力的作用，使得晶粒的排列更为有序，来获得具有三轴优选方向的准单晶薄膜，此准单晶薄膜于拉伸方向及垂直拉伸方向各具有211与110本发明可用于生产高度异向性的大面积准单晶薄膜，亦可应用于成长二维材料或其他异向性特征结构的开发。
准单晶薄膜及其制造方法

[实用新型]一种单晶衍射仪-CN201820784615.1有效
发明人：李玉德;林晓燕;黄瑞康 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶衍射仪，其特征在于，该单晶衍射仪包括X射线光源、准直单毛细管、平面晶体和聚焦单毛细管；所述X射线光源用于发射带有轫致辐射和特征辐射的多波长X光；所述准直单毛细管用于将多波长X光准直为准平行X光；所述平面晶体用于对符合布拉格衍射条件的准平行X光进行单色化，得到单色准平行X光；所述聚焦单毛细管用于将单色准平行X光聚焦到样品并完成单晶结构的测定。本实用新型可以广泛应用于分子单晶结构的测定中。
单毛细管单晶衍射仪准平行准直本实用新型单晶结构平面晶体聚焦多波长布拉格衍射特征辐射单色化轫致平行发射辐射应用

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